台湾第一人 施敏获颁全球电机电子工程师学会「尊荣会员」

中央研究院院士、交通大学终身讲座教授施敏获全球电机电子工程师学会（IEEE）颁赠2017年度「尊荣会员」〈Celebrated Member〉，将于12月4日受奖。全球迄今仅有九位科学家获此殊荣，包括1973年诺贝尔物理奖得主Leo Esaki、2000年物理奖得主Herbert Kroemer及2009年物理奖得主George E. Smithm，而施敏为台湾获此奖项的第一人。

全球电机电子工程师学会指出，「尊荣会员」的成就让学会感到荣耀，能从中汲取灵感、促进相关领域进步，进而改变世界，对施敏教授对人类带来的影响与福祉给予高度肯定。

施敏于1963年获美国史丹福大学电机博士，毕业后进入贝尔实验室(Bell Labs)任职。1967年，与贝尔实验室韩籍同事姜大元博士发现「浮闸记忆体效应」(Floating-gate memory effect)。此效应延伸出多种「浮闸记忆体」，包括EEPROM及快闪记忆体。「浮闸记忆体」拔除电源后资料不会随之挥发，仍能保有记忆体内容。现今人类走入智慧生活的数位新时代，从智慧型手机、平板电脑、数位电视、数位相机到全球定位系统，「可带着走」的电子產品都归功于「浮闸记忆体」。此记忆体更促成人工智慧、大数据、云端运算、物联网、固态碟、机器人及自驾车之快速发展。1969年，施教授以英文编写八百多页的《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）引起全球瞩目，被翻译成六国语言、发行超过300万册，被引用超过四万七千次，被誉为「半导体界的圣经」。

在贝尔实验室任职27年期间，施教授数度留职停薪回台任教。自贝尔实验室退休后到交大任教至今。其实验室如同台湾半导体產业人才摇篮，学生包括前交大校长张俊彦、钰创董事长卢超群、台积电研发副总经理暨技术长孙元成等半导体之菁英。教过的学生逾万人，成为台湾半导体业的根基。施教授也在孙运璇资政担任经济部长时，担任產业顾问，对我国发展半导体產业提出许多重要的建议与贡献。台湾现有蓬勃发展的半导体產业，以及傲视国际的半导体人才，施教授功不可没。

施教授的发现与成就受世界推崇，是少数当选中央研究院院士、美国国家工程院院士以及中国工程院外籍院士的三院院士，同时也获得工研院院士、全球「快闪记忆体高峰会」（Flash Memory Summit）「终身成就奖」，以及日本应用物理学会（Japan Society of Applied Physics）颁赠的「日本应用物理学会国际会士」。

今（2017）年是施教授「浮闸记忆体效应」发现五十周年的里程碑。交大特别举办「国际非挥发性记忆体研讨会」，邀请施教授及多国记忆体知名大师，共同探讨技术发展趋势。研讨会最重要的结论只有一个，就是至今尚无任何记忆体技术，能够取代「浮闸记忆体」。施敏教授对半导体科技进展与社会的贡献实为深远，贡献卓着，为世人所共睹。

(旺报)