交大校长张懋中 今荣膺美国发明家学会院士

美国发明家学会今 (16)日公布2015年获选发明家院士，交通大学校长张懋中获遴选委员高度肯定颁授荣衔，将于明年4月15日接受表扬。

美国发明家学会 (NAI，National Academy of Inventors)于美国时间15日上午公布2015年获选发明家院士 (NAI Follow)，在张懋中拥有高发明能量，长期研究推动半导体通信元件、提升人类生活品质，对社会与经济发展带来助益与贡献。

交大表示，张懋中1990年在美国洛克威尔科学中心(Rockwell Science Center)高速电子实验室与研究团队，完成异质结双极性高速电晶体 (HBT)与其积成电路的研究与开发，成功量產后成为手机必备发射器元件，所研发砷化镓功率放大器制成的手机信号发射器，已超过100亿台，成为举世智慧型手机的首选，对產业界及学术界带来跨时代贡献。

交大强调，对高速半导体元件和高频无线及混合信号电路在通信、雷达、联结、摄像等系统的研究及开发，张懋中也贡献卓着，在基础研究和实际应用领域，也是首屈一指的权威代表。

张懋中曾荣膺国际电机电子工程学会 (IEEE)会士、美国国家工程学院 (National Academy of Engineering)院士、中央研究院院士殊荣。

(工商即时)